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特種氣體可以用于太陽能電池的應(yīng)用，那么具體特種氣體在太陽能電池中是怎么進(jìn)行應(yīng)用的？

　1、太陽能電池的應(yīng)用 　　1839年法國科學(xué)家E Becquerel發(fā)現(xiàn)液體的光生伏特效應(yīng)(簡稱光伏效應(yīng)) 。1954年, 美國貝爾實(shí) 驗(yàn)室研制出單晶硅太陽能電池。太陽能電池的原理是基于半導(dǎo)體的光伏效應(yīng), 將太陽輻射直接轉(zhuǎn)換成 電能。在pn結(jié)的內(nèi)建電場作用下, n區(qū)的空穴向p區(qū)運(yùn)動(dòng), 而p區(qū)的電子向n區(qū)運(yùn)動(dòng), 造成在太陽能電池 受光面(上表面) 有大量負(fù)電荷(電子) 積累, 而在電池背光面(下表面) 有大量正電荷(空穴) 積累。如在 電池上、下表面做上金屬電極, 并用導(dǎo)線接上負(fù)載, 在負(fù)載上就有電流通過。只要太陽光照不斷, 負(fù)載 上就一直有電流通過。太陽能電池的應(yīng)用首先是在太空領(lǐng)域。1958年, 美國首顆以太陽能電池作為信 號(hào)系統(tǒng)電源的衛(wèi)星先鋒一號(hào)發(fā)射上天。隨后, 太陽能電池在照明、信號(hào)燈、汽車、電站等領(lǐng)域被廣泛 采用。特別是與低溫與特氣LED技術(shù)的結(jié)合, 給太陽能電池的普及帶來了巨大潛力。 　

　2、晶體硅太陽能電池生產(chǎn)工藝和氣體應(yīng)用 　　商業(yè)化生產(chǎn)的晶體硅太陽能電池通常采用多晶硅材料。硅片經(jīng)過腐蝕制絨, 再置于擴(kuò)散爐石英管 內(nèi), 用POCl3 擴(kuò)散磷原子, 以在p型硅片上形成深度約015μm 左右的n 型導(dǎo)電區(qū), 在界面形成pn結(jié)。隨 后進(jìn)行等離子刻蝕刻邊, 去除磷硅玻璃。接著在受光面上通過PECVD制作減反射膜, 并通過絲網(wǎng)印刷 燒結(jié)工藝制作上下電極。 　

　晶體硅電池片生產(chǎn)中的擴(kuò)散工藝用到POCl3 和O2。減反射層PECVD工藝用到SiH4、NH3 , 刻蝕 工藝用到CF4。其發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)分別為: 　　

  POCl3 +O2 → P2O5 +Cl2 　　

  P2O5 + Si → SiO2 + P 　

  SiH4 + NH3 → SiNx:H +H2 　

  CF4 + O2 + Si → SiF4 + CO2 　

　3、薄膜太陽能電池生產(chǎn)工藝和氣體應(yīng)用 　　商業(yè)化生產(chǎn)的薄膜太陽能電池分為非晶硅( a2Si) 薄膜和非晶/微晶硅( a2Si /μc2Si) 疊層薄膜。后 者對(duì)太陽光的吸收利用更充分。其生產(chǎn)工藝是在玻璃基板上制造透明導(dǎo)電膜( TCO) 。一般通過濺射 或LPCVD的方法。然后再通過PECVD方法沉積p型、i型和n型薄膜。再用濺射做背電極。 　

　非晶硅太陽能電池在LPCVD沉積TCO工序用到DEZn、B2H6 ; 非晶/微晶硅沉積工序用到SiH4、 PH3 /H2、TMB /H2、CH4、NF3 等。其發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)分別為： 電話 地圖 留言　　

  Zn (C2H5 ) 2 + H2O → C2H6 + ZnO 　　

  SiH4 + CH4 → a2SiC: H + H2 　　

  SiH4 → a2Si: H  

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